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2025-12-26
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本文介绍了PMOS和NMOS的基本概念、物理结构及工作特性，详细说明了源极、漏极和栅极的定义，并对比了NMOS与PMOS在电压控制方式、电流流向、适用开关类型以及半导体衬底与掺杂结构上的差异。
PMOS 与 NMOS
S: Source 源极
D: Drain 漏极
G: Gate 栅极
NMOS：用正电压控制导通，电流从漏极（D）→源极（S），适合低边开关。
PMOS：用负电压控制导通，电流从源极（S）→漏极（D），适合高边开关。
上图为PMOS的示意图，衬底为N型半导体，源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了P型杂质 (如硼B)，形成P+区。N型硅多电子。
上图为NMOS的示意图，衬底为P型硅，衬底的源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了N型杂质 (如磷P)，形成 N+区。P型硅多空穴。
参考
参考B站视频：