PMOS和NMOS

时间轴

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2025-12-26

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本文介绍了PMOS和NMOS两种场效应晶体管的基本原理与特性。文中指出，NMOS采用正电压控制导通，电流从漏极（D）流向源极（S），适合用作低边开关；PMOS采用负电压控制导通，电流从源极（S）流向漏极（D），适合用作高边开关。同时，文章通过示意图说明了二者的结构差异：PMOS以N型半导体为衬底，源极和漏极掺杂P型杂质形成P+区；NMOS以P型硅为衬底，源极和漏极掺杂N型杂质形成N+区。

PMOS 与 NMOS

• S: Source 源极

• D: Drain 漏极

• G: Gate 栅极

• NMOS：用正电压控制导通，电流从漏极（D）→源极（S），适合低边开关。

• PMOS：用负电压控制导通，电流从源极（S）→漏极（D），适合高边开关。

NMOS管

NMOS管

PMOS结构示意图

上图为PMOS的示意图，衬底为N型半导体（多数载流子为电子），源极 (Source) 和漏极 (Drain) 掺杂了 P 型杂质（如硼 B），形成 P+ 区。

NMOS结构示意图

上图为NMOS的示意图，衬底为P型硅（多数载流子为空穴），源极 (Source) 和漏极 (Drain) 掺杂了 N 型杂质（如磷 P），形成 N+ 区。

参考

[1]

PMOS与NMOS的工作原理

[2]

NMOS 和 PMOS 的区别（通俗易懂）

参考B站视频：