PMOS和NMOS

---

时间轴

2025-12-26

init

• S: Source 源级

• D: Drain 漏极

• G: Gate 栅极

• NMOS：用正电压控制导通，电流从漏极（D）→源极（S），适合低边开关。

• PMOS：用负电压控制导通，电流从源极（S）→漏极（D），适合高边开关。

上图为PMOS的示意图，衬底为N型半导体，源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了P型杂质 (如硼B)，形成P+区。N型硅多电子

上图为NMOS的示意图，衬底为P型硅，衬底源极 (Source) 和漏极 (Drain)掺杂了N型杂质 (如磷P)，形成 N+区。P型硅多空穴。

参考

[1]

PMOS与NMOS的工作原理

[2]

NMOS 和 PMOS 的区别（通俗易懂）

参考B站视频：